From: 千野 満 <mchino@valley.ne.jp>
日付: 2019年06月27日 19時28分
件名: 令和元年度 第１回 「次世代パワーエレクトロニクス研究会」のご案内
実装ニュース読者各位
長野県テクノ財団様からのご依頼により、掲載させていただきます。
お問合せ、お申し込みは末尾に記載の長野県テクノ財団（担当：高橋様）まで、
直接メールにてお願いいたします。
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令和元年度 第1回 「次世代パワーエレクトロニクス研究会」 のご案内
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21世紀の最重要課題のひとつに資源・エネルギー確保の問題があり、SiCやGaN
など次世代パワーデバイス・モジュールは省エネ技術のキーテクノロジーとして
非常に重要です。
このため、長野県テクノ財団は平成27年度にスタートさせた本研究会を令和元年
度も継続します。
今年度初回の研究会前半は、筑波大学数理物質系教授の岩室憲幸氏をお招きし、
「Siパワーデバイスの進化とSiCの今後の展望」と題して性能限界を囁かれなが
らも主役の座を維持するSiパワーデバイスの特性改善の歩みと対比しながら、
SiCパワーデバイスの最新技術と優位性、普及に必要な今後の開発の方向性につ
いてご講演をいただきます。
研究会後半は、名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授の恩田正一氏か
ら、「GaN半導体への期待とロードマップ」と題して、省エネルギーイノベーシ
ョンの創出を目的に設立されたGaN研究コンソーシアムの概要と活動状況、SiCと
並んで有望視されるGaNパワーデバイスが目指す未来社会と実現時期を示すロー
ドマップについてご講演をいただきます。
ＳｉＣやＧａＮ、Ｇａ２Ｏ３など次世代パワー半導体やその周辺機器、部材
などに関心をお持ちの方ならどなたでも参加出来ますので、産業界をはじめとを
する幅広い分野の皆様のご参加をお待ちしております。
◆開催日時 令和元年8月2日(金) 14:00〜16:30（開場13:30）
◆会 場 信州大学 国際科学イノベーションセンター 2F （信州大学工学
部内）
◆講演１ 【Siパワーデバイスの進化とSiCの今後の展望】
筑波大学数理物質系物理工学域教授 岩室 憲幸 氏
◆講演２ 【GaN半導体への期待とロードマップ】
名古屋大学未来材料・システム研究所特任教授 恩田 正一 氏
◆名刺交換会 信州大学 国際科学イノベーションセンター 3F コミュニケーシ
ョンルーム 16:30〜18:00
◆主 催 公益財団法人 長野県テクノ財団
◆定 員 80名程度
◆参加費 無料（名刺交換会出席者は当日参加費3,000円をお支払いくだ
さい）
◎お申込・詳細資料はコチラから↓
http://www.tech.or.jp/head-office/seminar/cat2/sic/-1/
◆お問合せ先 公益財団法人長野県テクノ財団 担当：高橋昌彦
TEL：026-226-8101 FAX：026-226-8838
E-mail：ma-takahashi@tech.or.jp